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プレスリリース

2000年8月24日

日本電気株式会社

モバイル機器に最適な低消費電力メモリの発売について

μPD4616112
「μPD4616112」

NEC(NECエレクトロンデバイス)はこのたび、携帯電話やPHSに代表される、小型化・大容量化・低価格化が必要とされるモバイル機器向けに、世界初のローパワーSRAM端子配置互換かつ機能互換の16MビットSRAM互換RAM「μPD4616112」を製品化し、本年10月からサンプル出荷を開始いたします。

新製品の主な特長は、以下の通りであります。

  1. DRAMプロセスの採用により、16Mビットという大容量のメモリを、21.8平方mmという小さなチップサイズで実現。

  2. 非同期ローパワーSRAMと端子配置が互換であるのはもちろんのこと、機能上でも互換を実現。

  3. 通常時スタンバイ電流100μA、Power Downモード時スタンバイ電流10μAと低消費電流を実現。

新製品のサンプル価格は4000円/個となっており、生産規模としては2001年3月以降、月産100万個を計画しております。

近年、携帯電話やPHSではインターネット接続・画面のカラー化・音楽配信サポート・動画配信等、次々に新しいサービスが追加されており、これらに対応するためにRAM容量の大容量化・低価格化が望まれております。しかしながら、シンクロナスDRAM(SDRAM)に代表されるDRAM製品は大容量化・高速化では優れているものの、動作電源電流値およびスタンバイ電源電流値が大きすぎるため、携帯電話やPHSではほとんど採用されておりません。一方、RAM容量の大容量化の要望により、従来から携帯電話やPHSで用いられているローパワーSRAMも大容量化が進んでおり、既に8Mビット品まで製品化されておりますが、さらなる大容量化が望まれております。ところがSRAMは、メモリ・セルとして6素子を使用していることから、16Mビット以上の大容量品ではチップ・サイズが大きくなり、チップ単価が高価になってしまうため、携帯電話に採用するには高価すぎるということが懸念されております。NECではこれらの問題を解決し、携帯電話やPHS等のモバイル機器ベンダーのニ−ズに応えるべく、本製品を開発致しました。

新製品の主な特長は次の通りとなっております。

1. 16Mビットという大容量を小型チップで実現

大容量DRAMで用いているプロセスおよびメモリセルを転用することで、16Mビットという大容量品を、21.8平方mmという小さなチップサイズで実現している。

2. 非同期のローパワーSRAMと端子配置互換かつ機能互換

本製品にはDRAMセルを用いているためDRAM特有のメモリ・セルのリフレッシュ動作が必要になるが、このリフレッシュ動作をチップ内部で自動的に行う構成にし、外部からリフレッシュ動作を制御する必要を無くすことで、ローパワーSRAMと機能上の互換を実現。また、48ピンFBGA16ビットI/OのローパワーSRAM製品とボール・サイズ、ボール配置位置および端子配置を同一にし、端子配置互換を実現。これらにより、ローパワーSRAMからの置き換えが容易である。

3. 低消費電力化

ビット線分割などのアレイ部最適化による充放電電流削減、および電源回路の消費電流削減等によりスタンバイ電流100μAを実現。さらに消費電流を抑えたい場合を考慮し、Power Downモードを搭載することで、スタンバイ電流を10μAまで低減できる。

NECでは、32M/64M/128Mとさらに大容量のローパワーSRAM互換RAMの開発および、これらの製品のチップとフラッシュ・メモリのチップと組み合わせたS−MCP(Stacked Multi Chip Package)製品の開発を検討しており、両製品ライン・アップの拡充により、お客様のニーズに応えるべく努力していきます。

なお、新製品の主な仕様は 別紙 をご覧ください。

以 上


<この発表に関するお客様からの問い合わせ先>

NEC 半導体テクニカルホットライン

電話 : 044−435−9494(直通)
FAX : 044−435−9608
E−Mail : s-info@saed.tmg.nec.co.jp


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