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プレスリリース



超小型パッケージに搭載した高性能パワーMOSFETの発売

2002年03月26日

日本電気株式会社

NEC(NECエレクトロンデバイス)はこのたび、携帯電話などの小型携帯機器向けに実装効率を極限まで高め、最新の0.35μmパワーMOSFETプロセス技術(UMOSIII)を採用して大幅にオン抵抗を低減した小型・軽量・超薄型の新パッケージ採用のパワーMOSFET「6ピンWSOF(1620)シリーズ」7品種を開発し、平成14年5月から発売を開始いたします。

新製品の特長は以下の通りであります。

(1) 実装面積を当社SC-95パッケージ比で約48%削減しながら、SC-95と同等のオン抵抗を実現。(外形サイズ:2.0mm×2.1mm(TYP.))
(2) 業界トップクラスの薄型パッケージとなる0.8mm厚(当社SC-70パッケージ比約23%削減)を実現。
(3) 顧客の要求に応じ、鉛フリー製品の提供が可能。
(4) ゲート・ソース間に保護ダイオードを内蔵し、静電耐量はEIAJ法で200V以上、MIL法で1000V以上を実現。

なお、新製品のサンプル価格はそれぞれ30円/個、生産規模は平成14年5月から約300万個/月を予定しております。

近年急速に普及が進んでいる携帯電話やDSCは、小型・高効率・多機能化に注力した商品開発が進められており、これらの携帯機器への搭載をターゲットとした製品にも、パッケージの小型化・薄型化による実装基板の高密度化や、低電圧駆動・低オン抵抗・低容量・ハイパワーなどの実現による低消費電力化が求められております。
これらのニーズに応えるため、NECはこのたび、パッケージにフラットリード構造を採用し、チップ搭載能力の向上(当社SC-70パッケージ比約4倍)・薄型化・許容損失のハイパワー化(当社SC-70パッケージ比約9倍の1.3W)を実現いたしました。
また、新製品は低オン抵抗・低容量・低電圧駆動化を実現するNECの最新の0.35μmルール微細構造「UMOSIIIプロセス」を使用し、20V耐圧で30mohm(TYP.)、-12V耐圧で40mohm(TYP.)、-20V耐圧で55mohm(TYP.)と業界最小クラスに抑え、小型携帯機器のパワーマネジメントスイッチ(1Aクラス)・昇降圧DC/DCコンバータ用途として最適な小型・超薄型パッケージ製品となっております。

NECは今後、携帯機器向けパワーMOSFET市場におけるシェアを現在の5%から2003年には15%まで引き上げる計画です。NECでは、今後もパワーMOSFETの開発に注力し、各分野の顧客ニーズに最適な新製品を提供してまいります。

なお、新製品の主な仕様については別紙をご参照下さい。

以上


<この発表に関するお客様からの問い合わせ先>

NECエレクトロンデバイス 半導体テクニカルホットライン

電 話 (044)435-9494(直通)
FAX (044)435-9608
E-Mail info@lsi.nec.co.jp
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