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世界最高速250MHz・SRAM互換で動作する次世代磁気メモリ(MRAM)を開発
~高速動作のMRAMが様々な電子機器を低消費電力化~

2007年11月30日
日本電気株式会社

MRAMチップ写真
MRAMチップ写真

NECはこのたび、データ保持に電力を消費せず、書換回数制限のない超高速次世代メモリである磁気メモリ(以下、MRAM:Magnetoresistive Random Access Memory)において、世界最高速となる250MHz動作の実証実験に成功しました。
これにより、既存の高速メモリSRAM(Static Random Access Memory)と同等の速度を実現し、システムLSIへの組込み用途の見通しが得られました。

このたび動作の実証に成功したMRAMは、NECが独自に開発・設計・試作したもので、容量が1Mb(メガビット)、トランジスタ2個と磁気抵抗素子1個からなるメモリセルや、独自の回路方式などを採用しています。これらにより、従来のMRAMの最高速である周波数100MHzの2倍以上で、現在のシステムLSIに組み込まれているSRAMと同等の速度となる、250MHzの超高速動作を世界で初めて実現しました。
MRAMは、SRAMにはない電源を切ってもデータが保持される機能(不揮発性)があり、同様に不揮発性のあるフラッシュメモリよりも大幅に高速動作が可能です。このたびの実証実験では、モニタ回路を使って、読み書き時のメモリ内部の波形を測定することで、250MHz動作におけるデータ出力までの所要時間が、3.7ns(ナノ秒)と、高速動作を実際に確認できました。

MRAMは、一般的に、高速性、不揮発性、およびSRAMの約2分の1となる低消費電力が実現できます。これらにより、パソコンの起動が瞬時に行える、車載ドライブレコーダーで衝突直後のデータを記録するなど、様々な分野の新しい機器や新しい機能を実現できると言われています。
SRAMに代えてMRAMをシステムLSIへ組み込むことで、これらの新しい機器や新しい機能において、さらなる高機能化が実現できるとともに、必要な時のみ動作するシステムLSIにより、大幅な低消費電力化も期待できます。

このたびの実証実験の成功は、MRAMの応用により、これらの実現に向けた見通しが得られたものであり、NECがMRAMをシステムLSIへ搭載するメモリとして応用するために、独自の技術を用いて研究開発を進めてきたことによるものです。今後は、システムLSIに組み込んだ形での動作検証を目指してさらに設計・試作を重ねてまいります。

NECは、NEDO技術開発機構の助成を受けてMRAM技術開発を進めており、高速組込み不揮発性RAMの実用化を目指しています。NECでは今後も、MRAMの次世代システムLSI混載用メモリとしての可能性(高性能化・低消費電力化・低コスト化)に注目し、研究開発に注力していきます。

以上

本件に関するお客様からのお問い合わせ先

NEC研究企画部 広報グループ
http://www.nec.co.jp/contact/


このページに掲載されているプレスリリースその他の情報は、発表日現在の情報であり、時間の経過または様々な後発事象によって変更される可能性がありますので、あらかじめご了承ください。

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